Способ формирования упорядоченных структур на поверхности полупроводниковых подложек

Изобретение относится к области нанотехнологий, а именно к способу создания упорядоченной ступенчатой поверхности Si(111)7×7, покрытой эпитаксиальным слоем силицида меди Cu2Si, и может быть использовано при создании твердотельных электронных приборов, например сенсоров газов или молекул. Сущность изобретения: способ формирования упорядоченных ступеней на поверхности полупроводниковых подложек включает предварительное осаждение слоя меди толщиной 4 монослоя на атомарно-чистую поверхность Si(111)7×7 с формированием моноатомного слоя силицида меди Cu2Si в условиях сверхвысокого вакуума при температуре 830±10°C. После этого образец отжигают при температуре 830±10°C постоянным током, проходящим через Si(111) в течение 22±2 сек, и формируют упорядоченную поверхность, состоящую из ступеней высотой 12±2 нм с ровными боковыми гранями и террас шириной 150±50 нм. Способ позволяет управлять рельефом поверхности образца, в частности формировать упорядоченные массивы ступеней, ориентированные вдоль направления типа Si, в зависимости от заданных технологических параметров. Это дает возможность использовать получаемые образцы, например, как шаблоны для формирования нанопроволок с помощью наклонного осаждения материалов или для индуцирования одноосной анизотропии в пленках из ферромагнитных материалов.