Регулируемая СВЧ линия задержки на поверхностных магнитостатических волнах

Использование: для обработки сигналов в широкополосных СВЧ системах различного назначения. Сущность изобретения заключается в том, что регулируемая СВЧ линия задержки на магнитостатических волнах, содержит установленную неподвижно на основании диэлектрическую подложку с расположенными на ней параллельно и разнесенными друг от друга микрополосковыми преобразователями поверхностных магнитостатических волн (ПМСВ), магнитоактивный элемент, выполненный в виде прямоугольной пластины из диэлектрика с нанесенной на одну сторону пленкой железоиттриевого граната, связанный со средством перемещения относительно основания и обращенный пленкой к преобразователям ПМСВ, постоянный магнит подмагничивания, размещенный в зоне нахождения магнитоактивного элемента, при этом на свободной поверхности пленки железоиттриевого граната образована периодическая структура в виде ряда канавок одинакового размера, средство перемещения магнитоактивного элемента относительно основания выполнено с возможностью вращения в плоскости диэлектрической подложки, при этом наименьшее время задержки соответствует положению продольной оси канавок, параллельной оси преобразователей ПМСВ, а постоянный магнит расположен так, что вектор поля подмагничивания лежит в плоскости диэлектрической подложки и соосно микрополоскам преобразователей ПМСВ. Технический результат: обеспечение возможности управления временем задержки СВЧ сигнала без изменения величины поля и постоянного магнита.