Туннельный полевой транзистор на основе графена

Изобретение относится к области наноэлектроники. В туннельном полевом транзисторе с изолированным затвором, содержащем электроды истока и стока, выполненные из монослойного графена и лежащие на изолирующей подложке в одной плоскости, а также затвор, выполненный из проводящего материала и расположенный над областями истока, туннельного перехода и стока, электроды истока и стока ориентированы друг к другу кристаллографически ровным краем типа зигзаг и разделены туннельно-прозрачным для носителей заряда вакуумным барьером. Изобретение расширяет арсенал туннельных транзисторных наноустройств, данный прибор наряду с ярко выраженным переключающим свойством имеет на вольт-амперной характеристике электродов исток и сток участок с отрицательным дифференциальным сопротивлением, что позволяет ему выполнять функцию диода Ганна, прибор требует более низких напряжений на затворе.