Способ формирования активной p-области солнечных элементов

Ашурбеков Назир Ашурбекович
14 сентября 2018
161
Предметная область
Отрасли по ОКВЭД
Страна, регион, город Российская Федерация, Дагестан, Махачкала
Отличия от конкурентов
Вид документа об охране ИС изобретение
Номер документа ИС 2575613
Дата регистрации документа ИС 2016-02-20
Необходимые инвестиции для внедрения договорная
Сроки внедрения
Стоимость предоставления технологии договорная
Наличие экспертного заключения Нет

Польза для потенциального потребителя

Изобретение относится к солнечной энергетике. Способ формирования активной p-области солнечных элементов включает процесс диффузии бора с применением жидкого источника - треххлористого бора (BCl3). В качестве источника диффузанта используется жидкий источник - треххлористый бор (BCl3) при следующем расходе газов: кислород O2=12 л/ч, азот N2=380 л/ч, N2 H2=380 л/ч, BCl3=2 л/ч, 1000 ppm. Изобретение позволяет получить боросиликатный слой из жидкого источника треххлористого бора (BCl3) c обеспечением уменьшения разброса значений поверхностного сопротивления по кремниевой пластине, снижение температуры и длительности процесса.