Способ получения термоэлектрического элемента

14 сентября 2018
446
Предметная область —
Отрасли по ОКВЭД —
Страна, регион, город Российская Федерация, Москва
Отличия от конкурентов —
Вид документа об охране ИС изобретение
Номер документа ИС 2601243
Дата регистрации документа ИС 2016-10-27
Необходимые инвестиции для внедрения договорная
Сроки внедрения —
Стоимость предоставления технологии договорная
Наличие экспертного заключения Нет

Польза для потенциального потребителя

Изобретение относится к термоэлектрическому преобразованию энергии и может быть использовано при производстве термоэлектрических охладителей и генераторов. Сущность: способ получения термоэлектрического элемента включает подготовку верхней и нижней граней ветвей термоэлемента, создание системы контактных слоев между гранями ветвей термоэлемента и коммутирующими шинами. Систему контактных слоев образуют из гомогенного многокомпонентного сплава A-B-C. Компонент A включает по крайней мере один из металлов второй подгруппы первой и восьмой группы периодической системы элементов и сплавов между ними, например Co, Ni, Fe, Pb. Компонент B включает элементы второй подгруппы четвертой, пятой и шестой групп, например Ti, Zr, Ta, Nb. Компонент C включает азот, углерод, кислород, бор. Производят термообработку либо в вакууме, либо в инертной атмосфере. В результате на гранях ветвей формируется многослойная структура. Компоненты B и C взаимодействуют друг с другом и формируют диффузионно-барьерный слой. Компонент A формирует низкоомный контактный слой на границе с полупроводниковой ветвью и катализирует рост наноструктурированного материала на диффузионно-барьерном слое, на котором методом химического осаждения из газовой фазы выращивают наноструктурированный материал. Свободное пространство в нем заполняют металлами с высокой электропроводностью, что обуславливает образование композиционного проводящего материала. Последующую коммутацию ветвей n- и p-типа осуществляют с помощью коммутирующей шины путем неразъемного соединения. Технический результат: повышение адгезии контактной системы, снижение сопротивления омического контакта к полупроводниковому материалу термоэлемента, создание препятствия взаимодействию между слоями контактной системы и взаимодействию контактной системы и полупроводникового материала термоэлектрического элемента при повышенных температурах, повышение механической прочности, надежности и эффективности термоэлектрического элемента.