Способ получения термоэлектрического элемента

14 сентября 2018
225
Предметная область
Отрасли по ОКВЭД
Страна, регион, город Российская Федерация, Москва
Отличия от конкурентов
Вид документа об охране ИС изобретение
Номер документа ИС 2601243
Дата регистрации документа ИС 2016-10-27
Необходимые инвестиции для внедрения договорная
Сроки внедрения
Стоимость предоставления технологии договорная
Наличие экспертного заключения Нет

Польза для потенциального потребителя

Изобретение относится к термоэлектрическому преобразованию энергии и может быть использовано при производстве термоэлектрических охладителей и генераторов. Сущность: способ получения термоэлектрического элемента включает подготовку верхней и нижней граней ветвей термоэлемента, создание системы контактных слоев между гранями ветвей термоэлемента и коммутирующими шинами. Систему контактных слоев образуют из гомогенного многокомпонентного сплава A-B-C. Компонент A включает по крайней мере один из металлов второй подгруппы первой и восьмой группы периодической системы элементов и сплавов между ними, например Co, Ni, Fe, Pb. Компонент B включает элементы второй подгруппы четвертой, пятой и шестой групп, например Ti, Zr, Ta, Nb. Компонент C включает азот, углерод, кислород, бор. Производят термообработку либо в вакууме, либо в инертной атмосфере. В результате на гранях ветвей формируется многослойная структура. Компоненты B и C взаимодействуют друг с другом и формируют диффузионно-барьерный слой. Компонент A формирует низкоомный контактный слой на границе с полупроводниковой ветвью и катализирует рост наноструктурированного материала на диффузионно-барьерном слое, на котором методом химического осаждения из газовой фазы выращивают наноструктурированный материал. Свободное пространство в нем заполняют металлами с высокой электропроводностью, что обуславливает образование композиционного проводящего материала. Последующую коммутацию ветвей n- и p-типа осуществляют с помощью коммутирующей шины путем неразъемного соединения. Технический результат: повышение адгезии контактной системы, снижение сопротивления омического контакта к полупроводниковому материалу термоэлемента, создание препятствия взаимодействию между слоями контактной системы и взаимодействию контактной системы и полупроводникового материала термоэлектрического элемента при повышенных температурах, повышение механической прочности, надежности и эффективности термоэлектрического элемента.