Излучающая гетероструктура с внутренним усилением инжекции

Изобретение относится к полупроводниковым приборам, а более конкретно к светодиодам и лазерам на основе гетероструктур. В активную область известного типа излучающих p-n-гетероструктур предлагается ввести дополнительный узкозонный слой. Этот слой играет роль поглотителя излучения из более широкозонной области излучательной рекомбинации, в результате чего в этом узкозонном слое возникают неравновесные носители заряда. Параметры узкозоннго слоя таковы, что в результате в нем происходит накопление носителей заряда и последующий термический выброс их в широкозонный слой активной области. Выброшенные носители заново рекомбинируют в широкозонном слое и описанный процесс повторяется заново. Это приводит к заметному увеличению концентрации неосновных носителей как в узкозонном, так и в широкозонном слоях активной области. Увеличение концентрации носителей повышает внешний квантовый выход излучающих приборов на основе такой гетероструктуры. Неравновесные носители, выброшенные из узкозонного слоя, могут приводить к самоохлаждению этого слоя, улучшая тем самым условия для излучательной рекомбинации в нем.