Трёхмерные расчёты полевого транзистора на основе сверхтонкого слоя кремния
Лукичев Владимир Федорович
14 сентября 2018
295
| Предметная область | — |
| Отрасли по ОКВЭД | — |
| Страна, регион, город | Российская Федерация, Москва |
| Отличия от конкурентов | — |
| Вид документа об охране ИС | программа для ЭВМ |
| Номер документа ИС | 201361758 |
| Дата регистрации документа ИС | 2013-08-20 |
| Необходимые инвестиции для внедрения | договорная |
| Сроки внедрения | — |
| Стоимость предоставления технологии | договорная |
| Наличие экспертного заключения | Нет |
Польза для потенциального потребителя
Программа рассчитывает статические вольтамперные характеристики полевых нанотранзисторов, выполненных по технологии кремний на изоляторе (КНИ) с длиной канала 5-100 нм, шириной 5-50 нм, толщиной канала порядка 2 нм, толщиной подзатворного диэлектрика 1-1 Онм. Расчет базируется на самосоглосованном решении уравнений Шредингера и Пуассона для волновых функций электронов в канале нанотранзистора. Ток через транзистор рассчитывается по модели Бюттикера-Ландауэра. Программа написана на языке Fortran 95 и имеет распараллеливание с использованием MPI и ОрепМР.