Трёхмерные расчёты полевого транзистора на основе сверхтонкого слоя кремния

Лукичев Владимир Федорович
14 сентября 2018
207
Предметная область
Отрасли по ОКВЭД
Страна, регион, город Российская Федерация, Москва
Отличия от конкурентов
Вид документа об охране ИС программа для ЭВМ
Номер документа ИС 201361758
Дата регистрации документа ИС 2013-08-20
Необходимые инвестиции для внедрения договорная
Сроки внедрения
Стоимость предоставления технологии договорная
Наличие экспертного заключения Нет

Польза для потенциального потребителя

Программа рассчитывает статические вольтамперные характеристики полевых нанотранзисторов, выполненных по технологии кремний на изоляторе (КНИ) с длиной канала 5-100 нм, шириной 5-50 нм, толщиной канала порядка 2 нм, толщиной подзатворного диэлектрика 1-1 Онм. Расчет базируется на самосоглосованном решении уравнений Шредингера и Пуассона для волновых функций электронов в канале нанотранзистора. Ток через транзистор рассчитывается по модели Бюттикера-Ландауэра. Программа написана на языке Fortran 95 и имеет распараллеливание с использованием MPI и ОрепМР.