Расчёты полевого транзистора на основе двойного слоя графена

Лукичев Владимир Федорович
14 сентября 2018
160
Предметная область
Отрасли по ОКВЭД
Страна, регион, город Российская Федерация, Москва
Отличия от конкурентов
Вид документа об охране ИС программа для ЭВМ
Номер документа ИС 201361771
Дата регистрации документа ИС 2013-08-22
Необходимые инвестиции для внедрения договорная
Сроки внедрения
Стоимость предоставления технологии договорная
Наличие экспертного заключения Нет

Польза для потенциального потребителя

Программа рассчитывает статические вольтамперные характеристики полевых транзисторов на основе двойного слоя графена в рамках кинетической модели. Программа позволяет рассчитывать транзисторы с длиной канала меньшей 10 мкм и длиной затвора меньше 0.9 мкм. Напряжение на стоке может варьироваться в пределах от 0 до 1.5 В, напряжение на затворе от -1.5В до 1.5В. Расчет базируется на самосоглосованном решении уравнения Пуассона и кинетического уравнения Больцмана, учитывающего точный электронный спектр. Программа имеет распараллеливание с использованием MPI и ОрепМР.