Расчёты полевого транзистора на основе двойного слоя графена
Лукичев Владимир Федорович
14 сентября 2018
284
| Предметная область | — |
| Отрасли по ОКВЭД | — |
| Страна, регион, город | Российская Федерация, Москва |
| Отличия от конкурентов | — |
| Вид документа об охране ИС | программа для ЭВМ |
| Номер документа ИС | 201361771 |
| Дата регистрации документа ИС | 2013-08-22 |
| Необходимые инвестиции для внедрения | договорная |
| Сроки внедрения | — |
| Стоимость предоставления технологии | договорная |
| Наличие экспертного заключения | Нет |
Польза для потенциального потребителя
Программа рассчитывает статические вольтамперные характеристики полевых транзисторов на основе двойного слоя графена в рамках кинетической модели. Программа позволяет рассчитывать транзисторы с длиной канала меньшей 10 мкм и длиной затвора меньше 0.9 мкм. Напряжение на стоке может варьироваться в пределах от 0 до 1.5 В, напряжение на затворе от -1.5В до 1.5В. Расчет базируется на самосоглосованном решении уравнения Пуассона и кинетического уравнения Больцмана, учитывающего точный электронный спектр. Программа имеет распараллеливание с использованием MPI и ОрепМР.