Способ селенатно-тиосульфатной обработки поверхности арсенида галлия n-типа

Изобретение относится к электрохимии полупроводников и технологии полупроводниковых приборов. Сущность изобретения заключается в том, что поверхность полупроводникового электрода - арсенида галлия n-типа - перед электрохимическим нанесением металла подвергают дополнительной к стандартной химической обработке в растворах халькогенсодержащих соединений с последующей промывкой поверхности в прокипяченной дистиллированной воде. Отличительной особенностью от ранее известных способов предварительной халькогенной обработки поверхности арсенида галлия является то, что полупроводниковый электрод последовательно выдерживают в течение 3 минут в 0,1 Μ водном растворе селеновой кислоты, окунают в теплую дистиллированную воду с температурой 40°С, выдерживают 3 минуты в 0,1 Μ водном растворе тиосульфата натрия и промывают в двух порциях прокипяченной горячей дистиллированной воды с температурой 60-70°С. Далее следуют операции по электроосаждению на арсенид галлия металлов из водных растворов. Изобретение применяется в микроэлектронике при создании выпрямляющих контактов перед электрохимическим нанесением металла на полупроводник и обеспечивает повышение стабильности электрофизических характеристик выпрямляющих контактов металл-полупроводник при воздействии повышенных температур в окислительной атмосфере.