Топология преобразователя чувствительного элемента датчика ИК излучения на основе массивов углеродных нанотрубок
Дежурный оператор
14 сентября 2018
1601
| Предметная область | — |
| Отрасли по ОКВЭД | — |
| Страна, регион, город | Российская Федерация, Москва |
| Отличия от конкурентов | — |
| Вид документа об охране ИС | топология интегральных микросхем |
| Номер документа ИС | 201663000 |
| Дата регистрации документа ИС | 2016-01-11 |
| Необходимые инвестиции для внедрения | договорная |
| Сроки внедрения | — |
| Стоимость предоставления технологии | договорная |
| Наличие экспертного заключения | Нет |
Польза для потенциального потребителя
Область применения - в чувствительном элементе датчика ИК-излучения. Функцией интегральной микросхемы является преобразование напряжения, зависящего от интенсивности оптического излучения. Технология изготовления включает: формирование топологического слоя металлизации на слое диэлектрика с использованием контактной фотолитографии и жидкостного химического травления; формирование углублений сквозь слои диэлектрика и металла через маску из фоторезиста методом плазмохимического травления, и синтез в них массивов углеродных нанотрубок в реакторе методом плазмостимулированного химического парофазного осаждения.