Топология преобразователя чувствительного элемента датчика ИК излучения на основе массивов углеродных нанотрубок

14 сентября 2018
77
Предметная область
Отрасли по ОКВЭД
Страна, регион, город Российская Федерация, Москва
Отличия от конкурентов
Вид документа об охране ИС топология интегральных микросхем
Номер документа ИС 201663000
Дата регистрации документа ИС 2016-01-11
Необходимые инвестиции для внедрения договорная
Сроки внедрения
Стоимость предоставления технологии договорная
Наличие экспертного заключения Нет

Польза для потенциального потребителя

Область применения - в чувствительном элементе датчика ИК-излучения. Функцией интегральной микросхемы является преобразование напряжения, зависящего от интенсивности оптического излучения. Технология изготовления включает: формирование топологического слоя металлизации на слое диэлектрика с использованием контактной фотолитографии и жидкостного химического травления; формирование углублений сквозь слои диэлектрика и металла через маску из фоторезиста методом плазмохимического травления, и синтез в них массивов углеродных нанотрубок в реакторе методом плазмостимулированного химического парофазного осаждения.