Способ получения пленки графена на подложке

Изобретение относится к химии, оптоэлектронике и нанотехнологии и может быть использовано при изготовлении прозрачных электродов и приборов наноэлектроники. В кварцевый реактор помещают подложку - Х-срез пьезоэлектрического кристалла, например, La3Ga5,5Ta0,5O14, плоскости (110) которого параллельны поверхности кристалла. Реактор вакуумируют до 10-3-10-8 Торр и нагревают до 900-1450 °С. Затем в реактор напускают углеродсодержащий газ, например ацетилен, метан или этилен, до 10-10-1 Торр. Через 15-100 мин после напуска углеродсодержащего газа реактор откачивают до 3·10-6 Торр с одновременным охлаждением до комнатной температуры. Изобретение позволяет упростить процесс и снизить температуру получения однородных качественных пленок графена.