Топология тестового кристалла с элементами энергонезависимой многократно программируемой резистивной памяти

Тестовый кристалл (ТК) предназначен для макетирования научно-технологических решений по изготовлению элементов энергонезависимой многократно программируемой резистивной памяти (ЭЭМПРП). ТК содержит тестовые структуры для контроля параметров используемых слоев и контактов, а также элементы памяти различной площади (от 5x5 мкм2 до 100x100 мкм2 ), в том числе объединенные в 8-битное слово или соединенные последовательно. ЭЭМПРП формируются на пластинах кремния с окислом путем нанесения методом магнетронного распыления нижних электродов, слоя рабочего оксида, верхнего электрода, защитного слоя SiO2, вакуумного напыления подводящей металлизации, формирования токоведущих элементов и защитного полимерного слоя с применением фотолитографии. Площадь ТК составляет 10x10 мм2 и обеспечивает его монтаж в металлокерамический корпус марки 5134.64-6.