Способ получения высокодисперсных порошков оксида индия

Изобретение относится к способу получения высокодисперсных порошков оксида индия InО3, которые могут быть использованы в качестве полупроводников и газовых сенсоров. Способ получения субмикронного порошка оксида индия включает приготовление исходного водного раствора сульфата индия, который приводят в контакт с реагентом-осадителем, в качестве которого используют сильноосновные гелевые аниониты АВ-17-8 или Purolite А300 в гидроксидной форме. После контакта с анионитом продукт-прекурсор отделяют от раствора, промывают водой, сушат и обжигают при температуре 400°С. Ионообменный способ обеспечивает получение высокодисперсного порошка оксида индия с бимодальным распределением (50, 150 нм) частиц по размерам, не содержащего катионов осадителя, без применения агрессивных сред и давлений.