Способ изготовления сегнетоэлектрического конденсатора

Изобретение относится к области нанесения тонких диэлектрических пленок для создания устройств микро- и наноэлектроники на основе перспективных материалов, в частности элементов энергонезависимой памяти на основе явления сегнетоэлектричества (FeRAM, ferroelectric random access memory) с деструктивным считыванием, к которому предъявляются жесткие требования к ресурсу, времени хранения информации и энергоемкости. В основе изобретения лежит способ нанесения тонкой пленки многокомпонентного оксида гафния и циркония методом атомно-слоевого осаждения из металлоорганических прекурсоров гафния Hf[N(CH3)(C2H5)]4 (ТЕМАН) и циркония Zr[N(CH3)(C2H5)]4 (TEMAZ) на нижний электрод в виде смеси из двух металлоорганических реагентов ТЕМАН и TEMAZ, подаваемой из общего прогреваемого контейнера. Повышение электрофизических характеристик сегнетоэлектрического конденсатора является техническим результатом изобретения.