Способ изготовления высокотемпературных КМОП КНИ интегральных схем
Бирюков Михаил Георгиевич
14 сентября 2018
278
Предметная область | — |
Отрасли по ОКВЭД | — |
Страна, регион, город | Российская Федерация, Москва |
Отличия от конкурентов | — |
Вид документа об охране ИС | изобретение |
Номер документа ИС | 2643938 |
Дата регистрации документа ИС | 2018-02-06 |
Необходимые инвестиции для внедрения | договорная |
Сроки внедрения | — |
Стоимость предоставления технологии | договорная |
Наличие экспертного заключения | Нет |
Польза для потенциального потребителя
Изобретение относится к области технологии изготовления полупроводниковых приборов и сверхбольших интегральных схем на основе кремниевой подложки с использованием скрытого диэлектрика (КНИ), предназначенных для использования в средах с максимальной температурой до 250°С. Сущность изобретения: способ изготовления высокотемпературных КМОП КНИ интегральных схем, включающий операции формирования областей мелкой щелевой изоляции STI, ионной имплантации в области карманов n- и р-канальных МОП-транзисторов, формирования слоя подзатворного диэлектрика, осаждения слоя поликристаллического кремния и формирования затворов МОП-транзисторов, ионной имплантации в области стоков и истоков МОП-транзисторов, формирования контактных окон к активным областям и формирования системы металлизации, отличающийся тем, что при осуществлении операции ионной имплантации в области стоков и истоков МОП-транзисторов n-типа доза ионов мышьяка составляет от 2×1015 до 3×1015 см-2, энергия пучка - от 63 до 77 кэВ, а для областей стоков и истоков МОП-транзисторов р-типа доза ионов бора составляет от 2,8×1015 до 4,2×1015 см-2, энергия пучка - от 6 до 8 кэВ. Изобретение обеспечивает повышение устойчивости интегральных схем к воздействию высоких температур.