Способ изготовления высокотемпературных КМОП КНИ интегральных схем

14 сентября 2018
120
Предметная область
Отрасли по ОКВЭД
Страна, регион, город Российская Федерация, Москва
Отличия от конкурентов
Вид документа об охране ИС изобретение
Номер документа ИС 2643938
Дата регистрации документа ИС 2018-02-06
Необходимые инвестиции для внедрения договорная
Сроки внедрения
Стоимость предоставления технологии договорная
Наличие экспертного заключения Нет

Польза для потенциального потребителя

Изобретение относится к области технологии изготовления полупроводниковых приборов и сверхбольших интегральных схем на основе кремниевой подложки с использованием скрытого диэлектрика (КНИ), предназначенных для использования в средах с максимальной температурой до 250°С. Сущность изобретения: способ изготовления высокотемпературных КМОП КНИ интегральных схем, включающий операции формирования областей мелкой щелевой изоляции STI, ионной имплантации в области карманов n- и р-канальных МОП-транзисторов, формирования слоя подзатворного диэлектрика, осаждения слоя поликристаллического кремния и формирования затворов МОП-транзисторов, ионной имплантации в области стоков и истоков МОП-транзисторов, формирования контактных окон к активным областям и формирования системы металлизации, отличающийся тем, что при осуществлении операции ионной имплантации в области стоков и истоков МОП-транзисторов n-типа доза ионов мышьяка составляет от 2×1015 до 3×1015 см-2, энергия пучка - от 63 до 77 кэВ, а для областей стоков и истоков МОП-транзисторов р-типа доза ионов бора составляет от 2,8×1015 до 4,2×1015 см-2, энергия пучка - от 6 до 8 кэВ. Изобретение обеспечивает повышение устойчивости интегральных схем к воздействию высоких температур.