Способ модуляции интенсивности электромагнитного излучения с помощью магнитоплазмонного кристалла

Кашкаров Павел Константинович
14 сентября 2018
201
Предметная область
Отрасли по ОКВЭД
Страна, регион, город Российская Федерация, Москва
Отличия от конкурентов
Вид документа об охране ИС изобретение
Номер документа ИС 2620026
Дата регистрации документа ИС 2017-05-22
Необходимые инвестиции для внедрения договорная
Сроки внедрения
Стоимость предоставления технологии договорная
Наличие экспертного заключения Нет

Польза для потенциального потребителя

Изобретение относится к оптике, а именно к способам модуляции интенсивности света оптического и ближнего ИК диапазонов. Изобретение может быть использовано в прикладной магнитооптике, в оптоэлектронике, фотонике, а также в сенсорной технике. Способ модуляции интенсивности прошедшего или отраженного электромагнитного излучения с помощью магнитоплазмонного кристалла включает в себя создание двумерного магнитоплазмонного кристалла, состоящего из прозрачной диэлектрической подложки, двумерного массива частиц из благородного металла с субволновыми размерами, погруженного в тонкий диэлектрический магнитный слой толщиной не меньше размера частиц; освещение магнитоплазмонного кристалла ТМ-поляризованным электромагнитным излучением при приложении магнитного поля в геометрии экваториального магнитооптического эффекта Керра. Технический результат - модуляция интенсивности прошедшего и отраженного оптического излучения с помощью структуры с размерами меньше, чем длина волны используемого излучения.