Способ модуляции интенсивности электромагнитного излучения с помощью магнитоплазмонного кристалла
Кашкаров Павел Константинович
14 сентября 2018
253
Предметная область | — |
Отрасли по ОКВЭД | — |
Страна, регион, город | Российская Федерация, Москва |
Отличия от конкурентов | — |
Вид документа об охране ИС | изобретение |
Номер документа ИС | 2620026 |
Дата регистрации документа ИС | 2017-05-22 |
Необходимые инвестиции для внедрения | договорная |
Сроки внедрения | — |
Стоимость предоставления технологии | договорная |
Наличие экспертного заключения | Нет |
Польза для потенциального потребителя
Изобретение относится к оптике, а именно к способам модуляции интенсивности света оптического и ближнего ИК диапазонов. Изобретение может быть использовано в прикладной магнитооптике, в оптоэлектронике, фотонике, а также в сенсорной технике. Способ модуляции интенсивности прошедшего или отраженного электромагнитного излучения с помощью магнитоплазмонного кристалла включает в себя создание двумерного магнитоплазмонного кристалла, состоящего из прозрачной диэлектрической подложки, двумерного массива частиц из благородного металла с субволновыми размерами, погруженного в тонкий диэлектрический магнитный слой толщиной не меньше размера частиц; освещение магнитоплазмонного кристалла ТМ-поляризованным электромагнитным излучением при приложении магнитного поля в геометрии экваториального магнитооптического эффекта Керра. Технический результат - модуляция интенсивности прошедшего и отраженного оптического излучения с помощью структуры с размерами меньше, чем длина волны используемого излучения.