Элемент энергонезависимой электрически перепрограммируемой памяти

Использование: для создания элемента памяти. Сущность изобретения заключается в том, что элемент памяти включает проводящие слои первого и второго уровня, расположенный между ними и непосредственно под проводящим слоем второго уровня слой диэлектрика толщиной от 3 до 100 нм, изолирующую щель в форме открытого торца слоя диэлектрика, находящийся в изолирующей щели материал с переменной проводимостью, меняющейся при прохождении через него потока электронов, и среду, контактирующую с поверхностью изолирующей щели и обеспечивающую обмен частицами материала с переменной проводимостью, между изолирующей щелью и проводящим слоем первого уровня расположен дополнительный диэлектрический слой толщиной от 1,3 до 3 нм. Технический результат: обеспечение возможности уменьшения вероятности электрического пробоя элемента памяти.