Туннельный нелегированный многозатворный полевой нанотранзистор с контактами шоттки

Лукичев Владимир Федорович
14 сентября 2018
127
Предметная область
Отрасли по ОКВЭД
Страна, регион, город Российская Федерация, Москва
Отличия от конкурентов
Вид документа об охране ИС изобретение
Номер документа ИС 2626392
Дата регистрации документа ИС 2017-07-26
Необходимые инвестиции для внедрения договорная
Сроки внедрения
Стоимость предоставления технологии договорная
Наличие экспертного заключения Нет

Польза для потенциального потребителя

Использование: в полупроводниковой технологии для изготовления нанотранзисторов и СБИС. Технический результат: электрическое легирование с помощью дополнительных управляющих электродов затворов, позволяющее создавать более резкие p-n-переходы, чем в туннельных транзисторах с физическим легированием; увеличение крутизны вольт-амперных характеристик туннельных транзисторов и снижение их порогового напряжения; возможность изменения типа проводимости канала для применения предлагаемых транзисторов в КМОП технологии цифровых интегральных схем, отсутствие технологических операций, связанных с легированием, расширение функциональных возможностей, увеличение крутизны подпороговой вольтамперной характеристики за счет увеличения количества управляющих электродов затворов и обеспечение работы в режиме туннельного транзистора. Сущность изобретения: предлагается конструкция туннельного нелегированного многозатворного полевого нанотранзистора с контактами Шоттки, характеризующаяся тем, что на поверхности слоя подзатворного диэлектрика располагаются последовательно два или больше управляющих электродов затворов на участке над каналом нанотранзистора между электродами стока и истока, при этом боковые поверхности управляющих электродов затворов закрыты слоями диэлектрика спейсеров, легирование слоя полупроводника не производится ни под электродами стока и истока, ни в канале нанотранзистора на участке между электродами стока и истока, а необходимые режимы работы нанотранзистора обеспечиваются использованием эффекта туннелирования и соответствующим выбором материалов электродов стока, истока и управляющих электродов затворов, а также прилагаемыми к управляющим электродам затворов напряжениями.