Способ низкотемпературной плазмоактивированной гетероэпитаксии наноразмерных пленок нитридов металлов третьей группы таблицы Д.И. Менделеева

14 сентября 2018
145
Предметная область
Отрасли по ОКВЭД
Страна, регион, город Российская Федерация, Ставропольский край, Ставрополь
Отличия от конкурентов
Вид документа об охране ИС изобретение
Номер документа ИС 2658503
Дата регистрации документа ИС 2018-06-21
Необходимые инвестиции для внедрения договорная
Сроки внедрения
Стоимость предоставления технологии договорная
Наличие экспертного заключения Нет

Польза для потенциального потребителя

Изобретение предназначено для производства гетероэпитаксиальных структур для изготовления светодиодов, фотоприемников, полупроводниковых лазеров, транзисторов и диодов. В основе изобретения лежит метод низкотемпературной плазмоактивированной гетероэпитаксии. В этом способе синтез пленки III-нитрида осуществляется путем циклического процесса, в котором каждый цикл состоит из четырех стадий: импульсной подачи в реактор ограниченного объема металлорганического соединения (МОС) с целью формирования на поверхности подложки слоя химически адсорбированных радикалов МОС, с плотностью менее 95% от плотности, достигаемой в режиме самоограниченного роста, продувки реактора инертным газом с целью удаления продуктов химических реакций с участием МОС, обработки подложки в плазме газовой смеси азота и водорода с целью насыщения поверхности азотом, который, взаимодействуя с радикалами МОС, формирует зародыши слоя нитрида алюминия, стадии вентиляции реактора после стадии плазменной активации. Техническим результатом, получаемым при реализации заявленного изобретения, является повышение кристалличности гетероэпитаксиальных пленок III-нитрида, выращенных при температурах менее 500°C на монокристаллической пластине сапфира, карбида кремния или на гетероструктуре с верхним слоем III-нитрида.