Способ низкотемпературной плазмоактивированной гетероэпитаксии наноразмерных пленок нитридов металлов третьей группы таблицы Д.И. Менделеева
Москвина Марина Ивановна
14 сентября 2018
285
Предметная область | — |
Отрасли по ОКВЭД | — |
Страна, регион, город | Российская Федерация, Ставропольский край, Ставрополь |
Отличия от конкурентов | — |
Вид документа об охране ИС | изобретение |
Номер документа ИС | 2658503 |
Дата регистрации документа ИС | 2018-06-21 |
Необходимые инвестиции для внедрения | договорная |
Сроки внедрения | — |
Стоимость предоставления технологии | договорная |
Наличие экспертного заключения | Нет |
Польза для потенциального потребителя
Изобретение предназначено для производства гетероэпитаксиальных структур для изготовления светодиодов, фотоприемников, полупроводниковых лазеров, транзисторов и диодов. В основе изобретения лежит метод низкотемпературной плазмоактивированной гетероэпитаксии. В этом способе синтез пленки III-нитрида осуществляется путем циклического процесса, в котором каждый цикл состоит из четырех стадий: импульсной подачи в реактор ограниченного объема металлорганического соединения (МОС) с целью формирования на поверхности подложки слоя химически адсорбированных радикалов МОС, с плотностью менее 95% от плотности, достигаемой в режиме самоограниченного роста, продувки реактора инертным газом с целью удаления продуктов химических реакций с участием МОС, обработки подложки в плазме газовой смеси азота и водорода с целью насыщения поверхности азотом, который, взаимодействуя с радикалами МОС, формирует зародыши слоя нитрида алюминия, стадии вентиляции реактора после стадии плазменной активации. Техническим результатом, получаемым при реализации заявленного изобретения, является повышение кристалличности гетероэпитаксиальных пленок III-нитрида, выращенных при температурах менее 500°C на монокристаллической пластине сапфира, карбида кремния или на гетероструктуре с верхним слоем III-нитрида.