Способ измерения времени жизни неравновесных носителей заряда в полупроводниках

Трушко Ольга Владимировна
20 октября 2021
63
Предметная область
Измерительное оборудование|Технические системы и процессы управления|Электроника
Отрасли по ОКВЭД
85.22. Образование высшее
Страна, регион, город Российская Федерация, Санкт-Петербург
Отличия от конкурентов
Вид документа об охране ИС изобретение
Номер документа ИС 2450258
Дата регистрации документа ИС 2012-05-10
Необходимые инвестиции для внедрения договорная
Сроки внедрения
Стоимость предоставления технологии договорная
Наличие экспертного заключения Нет

Польза для потенциального потребителя

Технический результат: обеспечение возможности измерения времени жизни неравновесных носителей заряда в тонких полупроводниковых слоях.

Сущность: заключается в том, что осуществляют зондирование исследуемого образца излучением с энергией фотонов, меньшей ширины запрещенной зоны, модуляцию концентрации неравновесных носителей заряда в полупроводнике, измерение параметров зондирующего излучения, пропущенного через образец или отраженного им, определение времени жизни неравновесных носителей заряда по измеренным параметрам зондирующего излучения, при этом исследуемый образец выполнен в виде структуры металл - диэлектрик - полупроводник, причем концентрацию неравновесных носителей заряда модулируют подачей напряжения между металлическим и полупроводниковым слоями данной структуры.