Способ измерения времени жизни неравновесных носителей заряда в полупроводниках
Трушко Ольга Владимировна
20 октября 2021
241
| Предметная область | |
| Отрасли по ОКВЭД | |
| Страна, регион, город | Российская Федерация, Санкт-Петербург |
| Отличия от конкурентов | — |
| Вид документа об охране ИС | изобретение |
| Номер документа ИС | 2450258 |
| Дата регистрации документа ИС | 2012-05-10 |
| Необходимые инвестиции для внедрения | договорная |
| Сроки внедрения | — |
| Стоимость предоставления технологии | договорная |
| Наличие экспертного заключения | Нет |
Польза для потенциального потребителя
Технический результат: обеспечение возможности измерения времени жизни неравновесных носителей заряда в тонких полупроводниковых слоях.
Сущность: заключается в том, что осуществляют зондирование исследуемого образца излучением с энергией фотонов, меньшей ширины запрещенной зоны, модуляцию концентрации неравновесных носителей заряда в полупроводнике, измерение параметров зондирующего излучения, пропущенного через образец или отраженного им, определение времени жизни неравновесных носителей заряда по измеренным параметрам зондирующего излучения, при этом исследуемый образец выполнен в виде структуры металл - диэлектрик - полупроводник, причем концентрацию неравновесных носителей заряда модулируют подачей напряжения между металлическим и полупроводниковым слоями данной структуры.
Сущность: заключается в том, что осуществляют зондирование исследуемого образца излучением с энергией фотонов, меньшей ширины запрещенной зоны, модуляцию концентрации неравновесных носителей заряда в полупроводнике, измерение параметров зондирующего излучения, пропущенного через образец или отраженного им, определение времени жизни неравновесных носителей заряда по измеренным параметрам зондирующего излучения, при этом исследуемый образец выполнен в виде структуры металл - диэлектрик - полупроводник, причем концентрацию неравновесных носителей заряда модулируют подачей напряжения между металлическим и полупроводниковым слоями данной структуры.