Программа «SEUSIM» для моделирования сбоев в КМОП КНИ и КМОП ИС на объемном кремнии при воздействии отдельных ядерных частиц (ОЯЧ) или при импульсном ионизирующем воздействии (ИИВ). Версия 1.0 (совместно с Открытое акционерное общество Экспериментальное н

Программа предназначена для моделирования сбоев в ячейках памяти и логических элементах КМОП ИС, возникающих при воздействии отдельных ядерных частиц или при импульсном ионизирующем воздействии. Программа имеет следующие особенности: для построения модели используется минимальное число параметров (для формирования ВАХ транзистора используется 7 параметров); зависимость тока стока от напряжения на затворе аппроксимируется квадратично-линейной зависимостью, обеспечивающей более высокую точность по сравнению с чисто квадратичной или с чисто линейной аппроксимациями. Программа позволяет моделировать фрагменты КМОП КНИ и КМОП ИС на объемном кремнии до 1000 транзисторов с приемлемым соответствием результатов с ВSIM-моделями и идентификацией радиационных параметров моделей транзисторов по результатам расчетно-экспериментального конструктивно-топологического моделирования.