Описание
Предназначена дляведения процесса молекулярно-лучевой эпитаксии гетероструктур группы А3В5 на подложках GaAs, InP. Диаметр до 75 мм (3 дюйма). Максимальный диаметр используемой подложки для нанесения эпитаксиальных слоев 76 мм. Предельное давление в камере не более 5·10-7 торр. Для обезгаживания камера роста оснащена парусной системой прогрева до 200°С. Держатель подложки, расположенный внутри камеры роста,снабжен системой нагрева до 750°С. Подложка может непрерывно вращаться со скоростью до 40 об/мин. Камера роста оснащена внутренней криопанелью с охлаждением жидким азотом с расходом в момент роста слоев до 50 литров в час. Имеется 5 источников молекулярных потоков, расположенных внутри камеры.
