Установка молекулярно-лучевой эпитаксии "Ангара" (ИФП СО РАН)
14 сентября 2018
465
| Классификация оборудования | |
| Страна, регион, город | Российская Федерация, Красноярский край, Красноярск |
| Страна производства | РФ |
| Год производства | 2014 |
| Предоставляемое количество | 1 |
| Условия использования | |
| Стоимостная группа | от 1 до 10 млн. руб. |
| Стоимость предоставления услуг | от 25 000 руб. |
| Регламент предоставления услуги | — |
| Объект коллективного пользования | Нет |
| Наличие аккредитации | Нет |
| Наличие ГОСТированной методики | Нет |
Описание
Предназначена для получения тонких пленок и многослойных структур полупроводниковых и магнитных материалов в сверхвысоком вакууме. Комплекс состоит из трех технологических модулей: модуль анализа и подготовки подложек (ПАП), эпитаксии полупроводниковых соединений (ЭПС) и эпитаксии элементарных полупроводников, металлов и диэлектриков (ЭПМ). Вакуумно-механическая система комплекса включает также модуль загрузки и выгрузки подложек (ЗВП), систему транспорта подложек, систему предварительной откачки и получения сверхвысокого вакуума.