Установка газофазного химического осаждения полупроводниковых слоев из паровой фазы AIX-200 (AIXTRON)

14 сентября 2018
444
Классификация оборудования
Страна, регион, город Российская Федерация, Санкт-Петербург
Страна производства США
Год производства 2003
Предоставляемое количество 1
Условия использования
Аренда|Заказ исследования
Стоимостная группа от 10 млн руб
Стоимость предоставления услуг договорная
Регламент предоставления услуги —
Объект коллективного пользования Нет
Наличие аккредитации Нет
Наличие ГОСТированной методики Нет

Описание

Газофазное химическое осаждения полупроводниковых слоев из паровой фазы
Найти аналог
Вам может быть интересно
Наименование Страна производства Условия использования Расположение
Установка комбинированной ионнопучковой обработки "ДИАНА-3" РФ Аренда, Заказ исследования Томск
Ионно-лучевая установка для повышения стойкости режущего и штампового инструмента, деталей машин и механизмов (ИФПМ) РФ Аренда, Заказ исследования Томск
Установка для быстрого прототип. Projet 3510 sd Германия Аренда, Заказ исследования Хабаровск
Установка импринт нанолитографии Eitre (Obducat) Франция Аренда, Заказ исследования Новосибирск
Установка для измерения транспортных свойств твёрдых тел ФЭЛ-18 РФ Аренда, Заказ исследования Красноярск
Многовариантная и многофункциональная лабораторная установка MagicLab (IKA) Германия Аренда, Заказ исследования Москва
Установка вакуумная ВУ-1100Д ОПТИК (СЗОС) РФ Аренда, Заказ исследования Санкт-Петербург
Лабораторная установка модификации воздуха (Яуза-Моторс) РФ Аренда, Заказ исследования Москва
Установка напыления металлов и углерода S-3400N (Hitachi) Япония Аренда, Заказ исследования Пермь
Установка магнетронного распыления и вакуумного напыления АПП-4 (Истрон) Великобритания Аренда, Заказ исследования Москва