Установка плазмохимического травления ПЛАТРАН-1507 (ФТИАН)
14 сентября 2018
623
| Классификация оборудования | |
| Страна, регион, город | Российская Федерация, Москва |
| Страна производства | РФ |
| Год производства | 2011 |
| Предоставляемое количество | 1 |
| Условия использования | |
| Стоимостная группа | от 1 до 10 млн. руб. |
| Стоимость предоставления услуг | от 7 500 руб. |
| Регламент предоставления услуги | — |
| Объект коллективного пользования | Нет |
| Наличие аккредитации | Нет |
| Наличие ГОСТированной методики | Нет |
Описание
Предназначена для глубокого анизотропного
плазмохимического травления при создании элементов МЭМС и НЭМС. Генератор: 13,56 МГц, 1 кВт; Источник смещения: до 400 Вт (13,56 МГц); Диаметр пластины: 150, 200 мм; Рабочие давления: 0,5-50 мТор; Система подачи газов: 4 канала, 0-200 Sccm; Газы: F-, Cl- содержащие, O2, H2, Ar; Плотность плазмы: до 3*1012 см-3; Температура электронов: < 4 эВ (Ar); Неравномерность плазмы: < 2% на ø 200 мм; Скорость травления: до 6 мкм/мин (Si) и до 0,8 мкм/мин (SiO2). Полная автоматизация процесса с управлением от персонального компьютера.
плазмохимического травления при создании элементов МЭМС и НЭМС. Генератор: 13,56 МГц, 1 кВт; Источник смещения: до 400 Вт (13,56 МГц); Диаметр пластины: 150, 200 мм; Рабочие давления: 0,5-50 мТор; Система подачи газов: 4 канала, 0-200 Sccm; Газы: F-, Cl- содержащие, O2, H2, Ar; Плотность плазмы: до 3*1012 см-3; Температура электронов: < 4 эВ (Ar); Неравномерность плазмы: < 2% на ø 200 мм; Скорость травления: до 6 мкм/мин (Si) и до 0,8 мкм/мин (SiO2). Полная автоматизация процесса с управлением от персонального компьютера.