| Классификация оборудования | |
| Страна, регион, город | Российская Федерация, Москва |
| Страна производства | Франция |
| Предоставляемое количество | 1 |
| Условия использования | |
| Стоимостная группа | от 1 до 10 млн. руб. |
Описание
Низкотемпературная плазмохимическая установка осаждения диэлектриков (Si3N4 и SiO2) и травления в индуктивно связанной плазме на пластинах до 200 мм. Система осуществляет осаждение при температурах подложки от 20 до 200C. Оснащена шлюзом.
Основные возможности:
Уникальный дизайн «газового душа» SiH4 (запатентованно) и симметричная откачка позволяют обеспечивать отличную равномерность наносимых пленок .
Возможность совмещать в одной камере процессы плазмохимического травления и осаждения (условие – плазменная очистка реактора и изменение композиции газового душа).
Поддержка температуры пластин при процессе благодаря охлаждению обратной стороны гелием.
РЧ-смещение, которое позволяет контролировать напряженность осажденных пленок.
Детектор окончания процесса (устанавливается опционально) полностью интегрирован в программное обеспечение и механику системы.
Удаленный контроль системы через Интернет через VPN . Брандмауэр включен в поставку системы. Такая система позволяет проводить поддержку пользователей без задержек.
Основные возможности:
Уникальный дизайн «газового душа» SiH4 (запатентованно) и симметричная откачка позволяют обеспечивать отличную равномерность наносимых пленок .
Возможность совмещать в одной камере процессы плазмохимического травления и осаждения (условие – плазменная очистка реактора и изменение композиции газового душа).
Поддержка температуры пластин при процессе благодаря охлаждению обратной стороны гелием.
РЧ-смещение, которое позволяет контролировать напряженность осажденных пленок.
Детектор окончания процесса (устанавливается опционально) полностью интегрирован в программное обеспечение и механику системы.
Удаленный контроль системы через Интернет через VPN . Брандмауэр включен в поставку системы. Такая система позволяет проводить поддержку пользователей без задержек.