Установка криогенного травления в индуктивно-связанной плазме SI 500 С (SENTECH)
14 сентября 2018
564
| Классификация оборудования | |
| Страна, регион, город | Российская Федерация, Москва |
| Страна производства | Германия |
| Предоставляемое количество | 1 |
| Условия использования | |
| Стоимостная группа | от 1 до 10 млн. руб. |
Описание
Предназначена для проведения высокоскоростного плазмо-химического травления кремния при создании MEMS структур и микрооптики. Позволяет обрабатывать как пластины диаметром до 200 мм, так и кусочки. Мощная двухступенчатая вакуумная система позволяет быстро откачивать камеру реактора и получать достаточно глубокий вакуум для проведения процессов травления. Отличительной особенностью системы SI 500 С является запатентованный источник индуктивно связанной плазмы ICP-PTSA 200 (плоская тройная спиральная антенна), специально подходящий для травления с низким повреждением структуры, электрод подложки с гелиевым охлаждением и динамическим контролем температуры для поддержания постоянной температуры независимо от мощности плазмы, вакуумная система позволяет обеспечивать высокую производительность требуемую для процессов травления и магнито-пневматический загрузочный шлюз для высочайшей надежности при загрузке/ выгрузке пластин. Все важнейшие параметры системы контролируются автоматически.
