| Классификация оборудования | |
| Страна, регион, город | Российская Федерация, Москва |
| Страна производства | Франция |
| Предоставляемое количество | 1 |
| Условия использования | |
| Стоимостная группа | от 1 до 10 млн. руб. |
Описание
Предназначена для плазмохимического травления GaN, GaAs, GaP, GaAlAs, InP, InGaAsP, ZnS, CdTe, AlN, InAs, Al и Si. Система может быть укомплектована CCD-камерой с лазерным датчиком, который в реальном времени измеряет толщину стравливаемого слоя. Программное обеспечение позволяет создать многошаговый процесс
и полностью автоматизировать его.
и полностью автоматизировать его.
