Установка плазмохимического травления с криогенной установкой PlasmaLab 100 ICP 380 (Oxford Instruments)
14 сентября 2018
708
| Классификация оборудования | |
| Страна, регион, город | Российская Федерация, Москва |
| Страна производства | Великобритания |
| Год производства | 2013 |
| Предоставляемое количество | 1 |
| Условия использования | |
| Стоимостная группа | от 10 млн руб |
| Стоимость предоставления услуг | договорная |
| Регламент предоставления услуги | — |
| Объект коллективного пользования | Нет |
| Наличие аккредитации | Нет |
| Наличие ГОСТированной методики | Нет |
Описание
Установка предназначена для анизотропного сухого плазмохимического травления материалов микроэлектроники на основе кремния (Si, SiN, SiO и т.п.) и обеспечивает работу с подложками размером от 50,8 мм до 200 мм толщиной 300-500 мкм. Установка является технологической установкой сухого плазменного травления, при котором травители присутствуют в газообразной форме в плазменном энергетическом поле, обеспечивая рисунок анизотропным травлением. Для создания газовой плазмы используется емкостной разряд.
