| Классификация оборудования | |
| Страна, регион, город | Российская Федерация, Москва |
| Страна производства | РФ |
| Предоставляемое количество | 1 |
| Условия использования | |
| Стоимостная группа | от 10 млн руб |
Описание
Предназначена для плазмохимического травления подложек диаметром до 200 мм. Обеспечивает травление кремнийсодержащих слоев (оксиды, нитриды, поликремний, КНС, монокристаллический кремний), кварцевые подложки, пьезокварц со скоростями до 1 мкм/мин с хорошим качеством поверхности на глубину более 250 мкм. Травление арсенида галлия, нитрида галлия, и других сложных полупроводников. Травление алюминия, меди, золота, серебра, платины и многих других материалов ионным распылением. Благодаря тонкому разделительному кварцевому стеклу, электромагнитной резонансной системе и системе магнитной изоляции плазмы генератор плазмы спирального типа имеет высокий коэффициент преобразования энергии, что позволяет использовать ВЧ генератор относительно небольшой мощности и обеспечивает горение плазмы как на высоких, так и на низких давлениях.