Установка газофазной эпитаксии AIX200RF (Aixtron)

Предназначена для выращивания наногетероструктур на основе соединений A3B5 методом МОС-гидридной эпитаксии. Позволяет получать монокристаллические слои AlGaInAsP и всевозможные их комбинации, предназначенные для создания полупроводниковых приборов на основе А3В5, а также получать квантовые ямы, квантовые точки и дельта слои примеси. Управляя параметрами роста, можно создавать комбинации слоев А3В5 с различными параметрами по легированию. Выращенные структуры используются для производства различных полупроводниковых приборов: полупроводниковые высокомощные и одномодовые лазеры (длины волн излучения от 600 нм до 1700 нм), фотоприемники высокой чувствительности на различные диапазоны длин волн, фотокатоды, солнечные элементы с высоким коэффициентом преобразования, приборы высокочастотной техники, структуры для научных исследований. В настоящее время проводятся работы по созданию полупроводниковых квантово-каскадных лазеров, излучающих в среднем и дальнем ИК диапазоне.